其二是劃裂加工能力的限制。SD劃片+機械裂片工藝都有極限，芯片尺寸過小可能無法裂片。當晶圓片直徑從2英寸增加到4英寸、或未來增加到6英寸時，劃片裂片的難度是隨之增加的，也就是說，可加工的芯片尺寸將隨之增大。以4寸片為例，如果芯片短邊長度小于90μm，長寬比大于1.5:1的，良率的損失將顯著增加。
基于上述原因，筆者大膽預測，芯片尺寸縮小到17mil2后，芯片設計和工藝加工能力接近極限，基本再無縮小空間，除非芯片技術方案有大的突破。
2.亮度提升
亮度提升是芯片端永恒的主題。芯片廠通過外延程式優化提升內量子效應，通過芯片結構調整提升外量子效應。
不過，一方面芯片尺寸縮小必然導致發光區面積縮小，芯片亮度下降。另一方面，小間距led顯示屏的點間距縮小，對單芯片亮度需求有下降。兩者之間是存在互補的關系，但要留有底線。目前芯片端為了降低成本，主要是在結構上做減法，這通常要付出亮度降低的代價，因此，如何權衡取舍是業者要注意的問題。
3.小電流下的一致性
所謂的小電流，是相對常規戶內、戶外芯片試用的電流來說的。如下圖所示的芯片I-V曲線，常規戶內、戶外芯片工作于線性工作區，電流較大。而小間距LED芯片需要工作于靠近0點的非線性工作區，電流偏小。
在非線性工作區，LED芯片受半導體開關閾值影響，芯片間的差異更明顯。對大批量芯片進行亮度和波長的離散性的分析，容易看到非線性工作區的離散性遠大于線性工作區。這是目前芯片端的固有挑戰。
應對這個問題的辦法首先是外延方向的優化，以降低線性工作區下限為主;其次是芯片分光上的優化，將不同特性芯片區分開來。
4.寄生電容一致性
目前芯片端沒有條件直接測量芯片的電容特性。電容特性與常規測量項目之間的關系尚不明朗，有待業者去總結。芯片端優化的方向一是外延上調整，一是電性分檔上的細化，但成本很高，不推薦。
5.可靠性
芯片端可靠性可以用芯片封裝和老化過程中的各項參數來描述。但總的說來，芯片上屏以后的可靠性的影響因素，重點在ESD和IR兩項。
ESD是指抗靜電能力。據IC行業報道，50%以上芯片的失效與ESD有關。要提高芯片可靠性，必須提升ESD能力。但是，在相同外延片，相同芯片結構的條件下，芯片尺寸變小必然帶來ESD能力的削弱。這是與電流密度和芯片電容特性直接相關的，無法抗拒。
IR是指反向漏電，通常是在固定反向電壓下測量芯片的反向電流值。IR反映的是芯片內部缺陷的數量。IR值越大，則說明芯片內部缺陷越多。
要提升ESD能力和IR表現，必須在外延結構和芯片結構方面做出更多優化。在芯片分檔時，通過嚴格的分檔標準，可以有效的把ESD能力和IR表現較弱的芯片剔除掉，從而提升芯片上屏后的可靠性。
四、總結
綜上，筆者分析了隨著小間距LED顯示屏的發展，LED芯片端面臨的系列挑戰，并逐一給出了改善方案或方向。應該說，目前LED芯片的優化還有很大的空間。如何提升，還待業者發揮聰明才智，持續不斷的努
